중국 지방정부로부터 수천억원을 투자받고 삼성전자의 D램 기술을 빼돌린 혐의를 받는 삼성전자 전 직원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 27일 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) 대표 A씨와 개발실장 B씨를 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다.

A씨와 B씨는 중국 지방정부로부터 4000억원 상당을 투자받은 후 삼성전자가 4조원을 투입한 국가핵심기술인 D램 공정기술을 부정사용해 20나노 D램을 개발한 혐의를 받는다.

피고인들은 모두 삼성전자 핵심 연구인력으로 근무했다. 특히 A씨는 삼성전자와 하이닉스반도체에서 약 30년을 근무한 국내 반도체 제조분야 전문가였다.

이들은 삼성전자가 4조원을 투입한 국가핵심기술을 부정 사용해 글로벌 반도체회사들도 4~5년이 걸리는 D램 반도체공정 기술을 1년 6개월만에 개발해 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 조사됐다. 최종 양산에 성공할 경우 피해가 최소 수십조원에 달할 것으로 예상된다.

검찰은 사안이 중대하다고 판단하고 경찰 수사단계부터 협력해 피고인들을 구속했다.

검찰은 송치 후 추가 수사를 통해 최씨가 중국 반도체회사 지분 860억원 상당을 받고 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 사실을 밝혀냈다. 피고인들이 설립한 중국 반도체회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 확인해 기소했다.

검찰 관계자는 "앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출범죄에 적극 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.