서초구 서울중앙지방검찰청에 검찰 깃발이 펄럭이고 있다./사진=뉴스1

삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국 반도체 회사에 유출한 공범이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 산업기술 보호법 위반(국가핵심기술 국외 유출) 등 혐의로 삼성전자 엔지니어 출신 전모씨(55)를 구속기소 했다고 2일 밝혔다. 검찰은 지난달 14일 법원에서 구속영장을 발부받아 전씨의 신병을 확보했다.

검찰에 따르면 전씨는 삼성전자에서 중국 D램 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 후 삼성전자가 1조6000억원의 개발비를 들인 D램 공정 국가핵심기술을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다.

검찰은 지난해 1월 삼성전자의 D램 공정 기술을 부정 취득하고 사용한 혐의를 받는 삼성전자 부장 출신의 김모씨를 구속기소 한 사안에 대해 추가 수사를 하다 전씨의 혐의를 발견했다.

이들은 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자 공정 기술을 빼돌리고 핵심 인력 영입을 통해 CXMT D램 반도체 개발계획을 수립했다. 이 과정에서 위장회사를 통해 CXMT에 입사했고 체포될 경우 '♡♡♡♡'(하트 네 개)를 단체 대화방에 남기도록 약속하는 등 수사에 철저히 대비한 것으로 파악됐다.

전씨는 중국 CXMT로부터 사인온 보너스(sign-on bonus) 3억원, 스톡옵션 3억원 등 약 6년간 29억원 상당을 지급받았다.

검찰은 "삼성전자 자료를 유출한 또 다른 공범은 인터폴을 통해 추적 중"이라며 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.